[发明专利]具有改进的光萃取的包括发光二极管的光电子器件有效
| 申请号： | 201480069520.6 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN106415858B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 蒂费纳·杜邦;约翰·德西雷斯 | 申请（专利权）人： | 艾利迪公司;原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/18;H01L33/44;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;任庆威 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电气器件(5)，包括：含有面(12)的半导体衬底(10)；发光二极管(DEL)，其被布置在所述面上且包括线形、圆锥形或尖椎形的半导体元件(20)；以及覆盖所述发光二极管的至少部分透明的介电层(34)，所述介电层的折射率处于1.6和1.8之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 萃取 包括 发光二极管 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光电子器件(5)，包括：具有表面(12)的半导体衬底(10)；由所述表面支撑的发光二极管(DEL)，其包括线形、圆锥形或尖锥形的半导体元件(20)；以及覆盖所述发光二极管的至少部分透明的介电层(34)，所述介电层的折射率处于从1.6到1.8的范围中，所述介电层(34)的最大厚度处于从250nm到50μm的范围中，使得所述介电层(34)完全填充所述半导体元件(20)之间的间隔并且覆盖每个半导体元件(20)。
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