[发明专利]作为用于先进互连的介电封顶阻挡层的含金属膜

摘要

提供一种形成用于半导体器件中的互连结构的方法。该方法开始于将低k块状介电层形成在基板上并接着在低k块状介电层中形成沟槽。在低k块状介电层上形成衬里层，该衬里层共形地沉积到该沟槽。在衬里层上形成铜层，该铜层填充沟槽。移除铜层与衬里层的部分以形成低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面。在低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面上形成含金属介电层。

主权项

1.一种用于形成互连结构的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将低k块状介电层形成在基板上；(b)将沟槽形成在所述低k块状介电层中；(c)将衬里层形成在所述低k块状介电层上，所述衬里层共形地沉积至所述沟槽；(d)将铜层形成在所述衬里层上，其中所述铜层填充所述沟槽；(e)移除所述铜层与所述衬里层的数个部分以暴露所述低k块状介电层的上表面、所述衬里层的上表面与所述铜层的上表面；以及(f)将含金属介电层形成在所述低k块状介电层的上表面、所述衬里层的上表面与所述铜层的上表面上，其中所述含金属介电层是选自由氮化铝、氮化钛和氮化锆所构成的组的金属化合物，其中所述含金属介电层是具有小于12的介电常数以及大于8MV/厘米的介电强度的材料。