[发明专利]发光装置有效
| 申请号： | 201480069840.1 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105849796B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 三宅博之;肥塚纯一;神长正美;岛行德;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/30 | 分类号： | G09G3/30;G09G3/20;H01L51/50 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能，第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，包括：/n布线；/n第一晶体管，该第一晶体管包括第一半导体膜、隔着所述第一半导体膜互相重叠的第一栅电极及第二栅电极；/n包括第二半导体膜的第二晶体管；/n第一电容器，该第一电容器保持所述第一晶体管的第一源电极和第一漏电极中的一个与所述第一栅电极之间的电位差；/n第二电容器，该第二电容器保持所述第一晶体管的所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个与所述第二栅电极之间的电位差；以及/n所述第一晶体管的漏电流被供应的发光元件，/n其中，所述第二晶体管控制所述第二栅电极与所述布线之间的导通状态，且/n所述第一半导体膜和所述第二半导体膜的每一个包括与栅电极重叠的半导体区域，该区域的载流子密度为1×10
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