[发明专利]用于非接触式测量P-N结的薄层电阻及分流电阻的方法及设备

摘要

非接触式测量p‑n结的特性包含：用光照明p‑n结的表面的照明区域；用第一电极测量来自所述p‑n结的第一区域的第一结光电压JPV信号；用第二电极测量来自第二区域的第二JPV信号；用参考电极测量来自第三区域的第三JPV信号；及用经校正第一JPV信号、经校正第二JPV信号、经校正第一校准JPV信号、经校正第二校准JPV信号或校准p‑n结的已知薄层电阻确定所述p‑n结顶层的薄层电阻。

主权项

1.一种用于非接触式测量半导体衬底的一或多个p-n结层的一或多个特性的设备，其包括：/n照明单元，其包含照明源，所述照明源用包含强度调制光或脉冲光中的至少一者的光照明包含p-n结的半导体衬底的第一表面的照明区域；/n第一结光电压测量单元，其包含经定位而靠近所述p-n结的所述第一表面的至少一第一电极，所述第一电极的位置在所述照明区域内或至少横向靠近所述照明区域；/n第二结光电压测量单元，其包含经定位而靠近所述p-n结的所述第一表面的至少一第二电极，所述第二电极经横向定位靠近所述第一电极；/n第三结光电压测量单元，其包含经定位而靠近所述p-n结的所述第一表面的至少一参考电极，所述参考电极横向位于所述照明区域外部；/n控制器，其通信地耦合到所述第一结光电压测量单元、所述第二结光电压测量单元或所述第三结光电压测量单元中的至少一者，所述控制器经配置以：/n从所述第一结光电压测量单元接收所述p-n结的第一结光电压信号及校准p-n结的第一校准结光电压信号；/n从所述第二结光电压测量单元接收所述p-n结的第二结光电压信号及所述校准p-n结的第二校准结光电压信号；/n从所述第三结光电压测量单元接收所述p-n结的第三结光电压信号及所述校准p-n结的第三校准结光电压信号；/n用经接收第一结光电压信号、经接收第二结光电压信号或来自所述参考电极的经接收第三结光电压信号中的至少一者确定经校正第一结光电压信号或经校正第二结光电压信号中的至少一者，其中根据来自于所述第一电极的所述第一结光电压信号和来自于所述参考电极的所述第三结光电压信号来确定所述经校正第一结光电压信号，其中根据来自于所述第二电极的所述第二结光电压信号和来自于所述参考电极的所述第三结光电压信号来确定所述经校正第二结光电压信号；/n用经接收第一校准结光电压信号、经接收第二校准结光电压信号或经接收第三校准结光电压信号中的至少一者确定经校正第一校准结光电压信号或经校正第二校准结光电压信号中的至少一者；及/n用所述经校正第一结光电压信号、所述经校正第二结光电压信号、所述经校正第一校准结光电压信号、所述经校正第二校准结光电压信号或所述校准p-n结的已知薄层电阻中的至少一者确定所述半导体衬底的所述p-n结的薄层电阻。/n