[发明专利]控制提供至基板的离子束的处理装置与方法有效
| 申请号： | 201480070125.X | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105849852B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 斯特尔·拜洛科;尼尼·文奴斯;卢多维克·葛特;安东尼·雷诺 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 杨贝贝,臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州0*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置与方法。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 离子 角分布 原位 控制 | ||
【主权项】：
一种处理装置，包括：电浆源，耦接至电浆腔室以在所述电浆腔室中产生电浆；提取板，沿着所述电浆腔室的一侧配置，所述提取板具有孔隙；偏转电极，配置为接近于所述孔隙，且当所述电浆腔室中存在所述电浆时，所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，其中所述偏转电极与待处理的基板分别位于所述提取板的相对两侧；以及偏转电极电源，相对于所述电浆而施加偏压至所述偏转电极，其中施加至所述偏转电极的第一偏压经设置以产生自所述电浆通过所述孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至所述偏转电极的第二偏压经设置以产生自所述电浆通过所述孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角与所述第一入射角不同。
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