[发明专利]切片方法有效
| 申请号： | 201480070306.2 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105849872B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 北川幸司 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B27/06;B24B57/02;B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种切片方法，其使用线锯，一边对于卷绕在多个线导件上的线供给冷却液，一边使所述线移动，且使硅晶锭压抵于该线并切断该硅晶锭，从而得到多片切片晶圆，其中，将供给到所述线的冷却液中的铜浓度设为80ppm以下。由此，能够提供一种切片方法，其使用线锯，并能稳定地得到铜污染降低的高纯度的硅晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 切片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种切片方法，其使用线锯，一边对于卷绕在多个线导件上的线供给冷却液，一边使所述线移动，且使硅晶锭压抵于该线并切断该硅晶锭，来得到多片切片晶圆，该切片方法的特征在于，在向所述线供给冷却液之前，预先测定冷却液中的铜浓度，并使用铜浓度是80ppm以下的冷却液，从而将供给到所述线的冷却液中的铜浓度设为80ppm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
