[发明专利]半导体激光器元件、半导体激光器模块、以及波长可变激光器组件有效
| 申请号： | 201480070393.1 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105830292B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 伊藤章;吉田顺自;清田和明 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/12;H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体激光器阵列具备在互不相同的振荡波长下进行单一模式振荡的多个半导体激光器，各所述半导体激光器具备：包含具有交替层叠的多个阱层和势垒层的多量子阱结构的活性层；和从厚度方向夹着该活性层而形成、带隙能大于该活性层的所述势垒层的带隙能的n侧分离限制异质结构层以及p侧分离限制异质结构层，在所述活性层掺杂n型杂质。由此提供能在宽带中输出高强度的激光的半导体激光器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 元件 模块 以及 波长 可变 激光器 组件 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器阵列，其特征在于，具备在互不相同的振荡波长下进行单一模式振荡的多个半导体激光器，各所述半导体激光器具备：包含具有交替层叠的多个阱层和势垒层的多量子阱结构的活性层；和从厚度方向夹着该活性层而形成、带隙能大于该活性层的所述势垒层的带隙能的n侧分离限制异质结构层以及p侧分离限制异质结构层，在所述活性层掺杂有n型杂质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社，未经古河电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480070393.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：作为用于无线充电的发送器的便携式计算机
- 下一篇：插塞连接器结构
