[发明专利]SI沟槽中的Ⅲ-N器件有效
| 申请号： | 201480070503.4 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN105874587B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | S·达斯古普塔;H·W·田;S·K·加德纳;S·H·宋;M·拉多萨夫列维奇;B·舒-金;S·R·塔夫脱;R·皮拉里塞泰;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成了包括衬底的部分的沟槽。成核层沉积在衬底的位于沟槽内的部分上。Ⅲ‑N材料层沉积在成核层上。Ⅲ‑N材料层横向生长在沟槽之上。器件层沉积在横向生长的Ⅲ‑N材料层上。在横向生长的材料上获得低缺陷密度区域，并且所述低缺陷密度区域用于在Si衬底上的对Ⅲ‑N材料的电子器件制作。 | ||
| 搜索关键词： | si 沟槽 中的 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造电子器件的方法，包括：/n形成在衬底上的沟槽层中的沟槽，所述沟槽包括是所述衬底的第一部分的底部和在垂直方向上从所述衬底延伸至所述沟槽层的顶表面的侧壁；/n蚀刻所述衬底的所述第一部分以形成刻面表面，所述刻面表面是V形槽或圆形表面中的一个；/n在所述衬底的位于所述沟槽内的所述刻面表面上沉积成核层；以及/n在所述成核层上在垂直方向上从所述沟槽的所述底部至所述沟槽层的顶部生长Ⅲ-N材料层，其中，垂直生长的Ⅲ-N材料层横向生长在所述沟槽层的所述顶部上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
