[发明专利]具有宽范围操作温度的PECVD陶瓷加热器

摘要

本发明实施例总体上涉及一种半导体处理腔室，并且更具体地涉及一种用于半导体处理腔室的受热支撑基座。在一个实施例中，所述基座包括基板支撑件、加热元件和第一中空轴，所述基板支撑件包含用于容纳基板的支撑表面，所述加热元件被封装在所述基板支撑件内，所述第一中空轴具有第一端与第二端，其中所述第一端固定到所述基板支撑件。所述基板支撑件与所述第一中空轴由陶瓷材料制成，并且所述第一中空轴具有约50mm与100mm之间的长度。所述基座进一步包括耦接至所述第一中空轴的第二端的第二中空轴。所述第二中空轴具有大于所述第一中空轴的长度的长度。

主权项

1.一种用于半导体处理腔室的基座，包括：基板支撑件，所述基板支撑件包含用于容纳基板的支撑表面；加热元件，所述加热元件被封装在所述基板支撑件内；第一中空轴，所述第一中空轴具有第一端和第二端，其中所述第一端固定到所述基板支撑件，其中所述基板支撑件与所述第一中空轴由陶瓷材料制成，并且所述第一中空轴具有第一长度；第二中空轴，所述第二中空轴耦接至所述第一中空轴的第二端，其中所述第二中空轴由金属制成，且具有设置在所述第二中空轴内的靠近所述第一中空轴和所述第二中空轴之间的界面的冷却通道，并且其中所述第二中空轴具有第二长度，所述第二长度比所述第一长度的大1.5至10倍；以及RF传导棒，所述RF传导棒设置在所述第一中空轴与所述第二中空轴内。