[发明专利]用于分析晶圆的形状的方法和设备有效
| 申请号： | 201480070870.4 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105849886B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李在炯;金慈暎 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种根据实施例的用于分析晶圆的形状的方法包括以下步骤：采集显示有待分析的晶圆的剖面图像；在该剖面图像中发现该晶圆的表面轮廓的坐标行；并且使用该坐标行获得包括关于该晶圆的形状的信息在内的形状分析数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分析 形状 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种分析晶圆的形状的方法，该方法包括：采集显示有待分析的晶圆的剖面图像；在该剖面图像中发现该晶圆的表面轮廓的坐标系列；并且使用该坐标系列获得包括关于该晶圆的形状的信息在内的形状分析数据，其中，所述发现该表面轮廓的该坐标系列包括：获得该剖面图像中的每个像素的亮度；获得相邻像素之间的亮度差；使用该亮度差确定临时轮廓像素；当要求修改由该临时轮廓像素形成的临时表面轮廓时重新确定该临时轮廓像素；并且当不要求对该临时表面轮廓进行所述修改时将该临时轮廓像素的阵列确定为该表面轮廓的该坐标系列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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