[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201480071098.8 申请日: 2014-12-18
公开(公告)号: CN105849894A 公开(公告)日: 2016-08-10
发明(设计)人: 门口卓矢;平野敬洋;西畑雅由;福谷啓太;奥村知巳 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L23/051 分类号: H01L23/051
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;邓玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置,包括金属构件(54)、半导体元件(30)、树脂部(66)、底料层、以及剥离抑制部。所述金属构件具有包括半导体元件安装区(540b)和树脂紧密接触区(540a)的表面,所述树脂紧密接触区从所述半导体元件安装区延伸至所述金属构件的外周边缘。所述半导体元件安装在所述半导体元件安装区上。所述树脂部延伸到所述金属构件的侧表面外的位置,与所述树脂紧密接触区紧密接触,并一体地覆盖所述半导体元件和所述金属构件。所述底料层布置在所述树脂紧密接触区和所述树脂部之间。所述剥离抑制部被构造成抑制所述金属构件和所述树脂部在所述树脂紧密接触区的外周部彼此剥离。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,包括:金属构件,其具有包括半导体元件安装区和树脂紧密接触区的表面,所述树脂紧密接触区从所述半导体元件安装区延伸至所述金属构件的外周边缘;半导体元件,其安装在所述半导体元件安装区上;树脂部,其延伸到所述金属构件的侧表面外的位置,所述树脂部与所述树脂紧密接触区紧密接触并一体地覆盖所述半导体元件和所述金属构件;底料层,其布置在所述树脂紧密接触区和所述树脂部之间;剥离抑制部,其构造成抑制所述金属构件和所述树脂部由于所述树脂部吸收水分而在所述树脂紧密接触区的外周部彼此剥离。
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