[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种通过使耗尽层在外周区内更高速地伸展，从而能够实现更高的耐压的技术。半导体装置具有形成有绝缘栅型开关元件的元件区和外周区。在外周区内的半导体基板的表面上，形成有第一沟槽和以与第一沟槽隔开间隔的方式配置的第二沟槽。在第一沟槽和第二沟槽内形成有绝缘膜。形成有以从第一沟槽的底面跨及第二沟槽的底面的方式延伸的第二导电型的第四区域。在第四区域的下侧形成有从第三区域连续的第一导电型的第五区域。

主权项

1.一种半导体装置，具有：半导体基板；表面电极，其被形成在所述半导体基板的表面上；背面电极，其被形成在所述半导体基板的背面上，所述半导体基板具有元件区和外周区，所述元件区形成有对所述表面电极与所述背面电极之间进行开关的绝缘栅型开关元件，所述外周区与所述元件区邻接，所述绝缘栅型开关元件具有：第一导电型的第一区域，其与所述表面电极连接；第二导电型的第二区域，其与所述表面电极连接，且与所述第一区域相接；第一导电型的第三区域，其被形成在所述第二区域的下侧，并通过所述第二区域而与所述第一区域分离；栅沟槽，其形成在所述元件区内的所述半导体基板的所述表面上；栅绝缘膜，其形成在所述栅沟槽内，并与所述第二区域相接；栅电极，其形成在所述栅沟槽内，并隔着所述栅绝缘膜而与所述第二区域对置；第二导电型的第六区域，其形成在所述半导体基板内的包含所述栅沟槽的底面在内的范围内，在所述外周区内的所述半导体基板的所述表面上，形成有第一沟槽和以与所述第一沟槽隔开间隔的方式配置的第二沟槽，在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成有绝缘膜，形成有以从所述第一沟槽的底面跨及所述第二沟槽的底面的方式延伸的第二导电型的第四区域，在所述第四区域的下侧形成有从所述第三区域连续的第一导电型的第五区域，在所述第四区域内的、所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的区域内，形成有与所述第四区域内的、所述第一沟槽的下侧的区域和所述第二沟槽的下侧的区域相比，从所述半导体基板的厚度方向观察到的第二导电型杂质的面密度较低的低面密度区，在向处于断开状态的所述绝缘栅型开关元件施加额定电压时，所述低面密度区耗尽化，所述第一沟槽的下侧的所述区域的至少一部分以及所述第二沟槽的下侧的所述区域的至少一部分未耗尽化，所述第一沟槽的下侧的所述区域的未耗尽化的部分和所述第二沟槽的下侧的所述区域的未耗尽化的部分通过所述低面密度区内的耗尽层而被分离。