[发明专利]包括超晶格穿通停止层堆叠的垂直半导体装置和相关方法

摘要

一种半导体装置可以包括衬底和在所述衬底上间隔开的多个鳍片。所述鳍片中的每一个可以包括从所述衬底垂直向上延伸的下部半导体鳍片部分，以及在下部鳍片部分上的至少一个超晶格穿通层。所述超晶格穿通层可以包括多个堆叠的层组，所述超晶格穿通层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。每个鳍片还可以包括在所述至少一个超晶格穿通层上的上部半导体鳍片部分，所述上部半导体鳍片部分从所述至少一个超晶格穿通层垂直向上延伸。所述半导体装置还可以包括在所述鳍片的相对端部处的源极区和漏极区以及覆盖所述鳍片的栅极。

主权项

一种用于制备半导体装置的方法，所述方法包括：通过以下步骤在衬底上形成多个鳍片：形成从所述衬底垂直向上延伸的多个间隔开的下部半导体鳍片部分，在所述下部半导体鳍片部分中的每一个上形成至少一个相应的超晶格穿通停止层，每个超晶格穿通停止层包括多个堆叠的层组，所述超晶格穿通停止层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层，以及在所述至少一个超晶格穿通停止层中的每一个上形成相应的上部半导体鳍片部分，所述上部半导体鳍片部分从相应的超晶格穿通停止层垂直向上延伸；在所述鳍片的相对端部处形成源极区和漏极区；以及形成覆在所述鳍片上的栅极。