[发明专利]积体超导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种积体超导体装置及其制造方法。所述积体超导体装置可包含衬底基底，和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的第一中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述第一中间层上的第一定向超导体层，和安置于所述第一定向超导体层的一部分上的第一导电带。所述第一导电带可在其下方界定所述第一定向超导体层的第一超导体区，和邻近于所述第一超导体区的所述第一定向超导体层的第一暴露区。本申请的积体超导体装置制造的超导体结构类似于带材但直接形成于大面积衬底上，克服与独立式超导体带材的制造相关联的复杂性。

主权项

1.一种积体超导体装置，其包括：由玻璃制成的衬底基底；安置于所述衬底基底上的第一中间层，所述第一中间层具有结晶定向，并且所述第一中间层包括：氮化硅层，安置于所述氮化硅层上的第一MgO层，以及安置于所述第一MgO层的不同的第二MgO层，其中所述第二MgO层相对于所述第一MgO层具有较高程度的结晶定向；安置于所述第一中间层上的第一定向超导体层；以及第一导电带，其安置于所述第一定向超导体层的一部分上以在其下方界定所述第一定向超导体层的第一超导体区，和邻近于所述第一超导体区的所述第一定向超导体层的第一暴露区。