[发明专利]刻划半导体设备的晶片有效
| 申请号： | 201480071654.1 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105917460B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | S.R.佩达达;F.L.魏;E.卡萨耶;R.夏马 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈俊;景军平 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明的实施例含有一种用于分离含有生长衬底和多个设备的晶片的方法，该多个设备形成于该生长衬底上并且布置在由至少一个划道分隔的多行中。该晶片含有该多个设备形成于其上的前侧，以及是生长衬底的表面的背侧。该方法含有在前侧上刻划与划道对齐的第一刻划线，在背侧上刻划与划道对齐的第二刻划线，以及在背侧上刻划与划道对齐的第三刻划线。 | ||
| 搜索关键词： | 刻划 半导体设备 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种用于分离包含生长衬底和多个设备的晶片的方法，所述多个设备形成于所述生长衬底上并且布置在由至少一个划道分隔的至少两行中，所述晶片包含所述多个设备形成于其上的前侧和包含所述生长衬底的表面的背侧，所述方法包含：在所述前侧上，刻划与来自所述至少一个划道的第一划道对齐的第一刻划线；在所述背侧上，刻划与所述第一划道对齐的第二刻划线；以及在所述背侧上，刻划与所述第一划道对齐的第三刻划线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
