[发明专利]制造光二极管检测器的方法有效
申请号: | 201480071858.5 | 申请日: | 2014-09-08 |
公开(公告)号: | CN106062956B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 赵日安;K.H.安;G.帕塔萨拉蒂;A.J.库图尔;刘杰;W.A.亨尼西 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐晶;林森 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 辐射检测器组件包括响应入射辐射产生电荷的有机光检测器、包括多个像素的薄膜晶体管阵列。所述多个像素可生成对应于由所述有机光检测器产生的电荷的电信号。所述辐射检测器组件还包括布置在所述薄膜晶体管阵列上的间隔件。所述间隔件包围一个或多个像素且可将所述有机光检测器限制在所包围的一个或多个像素内,使得所述包围的一个或多个像素与邻近像素电隔离。 | ||
搜索关键词: | 制造 二极管 检测器 方法 | ||
【主权项】:
1.辐射检测器组件,其包括:构造成响应入射辐射产生电荷的有机光检测器;包括多个像素的薄膜晶体管阵列,其中所述多个像素构造成生成对应于由所述有机光检测器产生的电荷的电信号;和布置在所述薄膜晶体管阵列上的间隔件,其中所述间隔件包围一个或多个像素且构造成将所述有机光检测器限制在所包围的一个或多个像素内,使得所述包围的一个或多个像素与邻近像素电隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的