[发明专利]高电容单层电容器及其制造方法在审
| 申请号： | 201480071924.9 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105874548A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | P·K·苏德;C·纳多;J·T·切瑞;B·奥尼尔 | 申请（专利权）人： | 楼氏卡泽诺维亚公司 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G7/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电容器，该电容器包括：介电基体、金属化层、以及形成在金属化层的一部分上的非常薄的介电层，电极形成在该介电层上。本发明的方法允许形成电容器的阵列，以提供在较厚介电基板上支撑的非常薄的功能性介电层。所得到的电容器具有针对其大小的极高电容。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 单层 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器，所述电容器包括：介电基体，所述介电基体具有三对相反的侧表面；具有均匀厚度的金属化层，所述金属化层连续地形成在所述三对相反的侧表面中的两对相反的侧表面上；介电层，所述介电层形成在所述金属化层的、覆盖所述两对相反的侧表面中的一个侧表面的一部分上；以及电极，所述电极形成在所述介电层上。
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