[发明专利]具有绝缘过孔的金属基板在审
申请号: | 201480072811.0 | 申请日: | 2014-10-13 |
公开(公告)号: | CN106134302A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 帕维尔·沙什科夫;谢尔盖·乌索夫;史蒂文·柯蒂斯;布雷特·W·基勒亨尼 | 申请(专利权)人: | 康桥纳诺塞姆有限公司;罗杰斯公司 |
主分类号: | H05K3/44 | 分类号: | H05K3/44;C25D11/02;C25D11/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;陈炜 |
地址: | 英国萨*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 一种具有绝缘过孔的金属基板(MSIV)具有金属层,该金属层具有通过金属层的厚度限定的通孔;介电层,该介电层形成在金属层的表面的一部分上,并且延伸以覆盖通孔的内壁;导电材料,该导电材料延伸通过绝缘通孔以形成绝缘过孔;以及电路,该电路以与导电过孔热接触和/或电接触的方式形成介电层的一部分上。介电层是介电纳米陶瓷层,该介电纳米陶瓷层具有500纳米或更小的平均晶粒大小的等轴晶体结构、介于0.1与100微米之间的厚度、大于20KV mm‑1的介电强度以及大于3W/mK的导热率。这样的MSIV能够用作支持诸如功率装置、微波装置、光电装置、固态照明装置和热电等装置的电子基板。 | ||
搜索关键词: | 具有 绝缘 金属 | ||
【主权项】:
一种具有绝缘过孔的金属基板(MSIV),包括:金属层,所述金属层具有通过所述金属层的第一表面与第二表面之间的所述金属层的厚度限定的通孔;介电层,所述介电层至少部分地通过所述金属层的氧化来形成,所述介电层被形成为所述金属层的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上以及所述通孔的内壁上的连续层;导电金属过孔,所述导电金属过孔延伸通过在所述金属物中限定的所述通孔,所述导电金属过孔通过所述介电层与所述金属层电绝缘;以及电路,所述电路形成在所述介电层的一部分上,所述电路与所述导电金属过孔电接触和/或热接触,其中,所述介电层是介电纳米陶瓷层,所述介电纳米陶瓷层具有平均晶粒大小为500纳米或更小的等轴晶体结构、介于0.1与100微米之间的厚度、大于20KV mm‑1的介电强度以及大于3W/mK的导热率。
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