[发明专利]具有导体回填的嵌入式熔丝

摘要

嵌入式熔丝结构和制造技术。嵌入式熔丝可以包括具有相比于被设置在高‑z部分之间的低‑z部分延伸至较大z‑高度的两个高‑z部分的非平面导电线，该低‑z部分具有降低的载流能力。被设置在低‑z部分上方的电介质具有与高‑z线部分成平面的顶部表面，熔丝接触部可以着落至高‑z线部分。嵌入式熔丝的制造可以包括对被设置在衬底上方的第一电介质材料区进行底切。以第二电介质材料对底切区进行加衬。通过以导电材料对经加衬的底切区进行回填来形成一对电连接的熔丝端部。在有利实施例中，熔丝制造与高‑K金属栅极晶体管和精密多晶硅电阻器制造流程相兼容。

主权项

1.一种嵌入式熔丝，包括：非平面导电线，所述非平面导电线被设置在衬底上方，所述非平面线具有低‑z部分，所述低‑z部分在两个高‑z部分之间，相比于所述低‑z部分，所述高‑z部分从所述衬底延伸至较大z‑高度，其中，所述低‑z部分具有逐渐变化的z‑高度，其从靠近所述高‑z部分中的每个的最大z‑高度到其间的最小z‑高度成锥形；高‑k电介质材料，所述高‑k电介质材料被设置在所述线下方并且在所述衬底之上；以及第二电介质材料，所述第二电介质材料被设置在所述高‑k电介质材料和所述低‑z部分上方，所述第二电介质材料具有与所述高‑z部分成平面的顶部表面。