[发明专利]用于晶体管的堆栈中改进的品质因素的电路和方法有效
| 申请号： | 201480072851.5 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105900339B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | G.A.布林 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H04B1/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 于小宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于在晶体管的堆栈中改进的品质因素的电路和方法。开关器件可以包括以堆栈配置实现的多个场效应晶体管(FET)。开关器件可进一步包括具有将偏置输入节点耦接到每个FET的栅极的分布网络的偏置电路。所述分布网络可包括多个第一节点，每个第一节点通过一个或多个相应的电阻路径连接到栅极中的一个或多个。所述分布网络可进一步包括一个或多个第二节点，每个第二节点通过一个或多个相应的电阻路径连接到第一节点中的一个或多个。电阻路径中的至少一些具有选择成在FET处于断开状态中时减少射频(RF)信号的损失的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体管 堆栈 改进 品质 因素 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种开关器件，包括：第一端子和第二端子；在所述第一端子和所述第二端子之间以堆栈配置实现的多个场效应晶体管(FET)，每个FET具有源极、漏极和栅极，FET被配置为处于导通状态或断开状态中，以分别允许或阻止射频(RF)信号在所述第一端子和所述第二端子之间通过；以及具有偏置输入节点和将所述偏置输入节点耦接到每个FET的栅极的分布网络的偏置电路，所述分布网络包括多个第一节点，每个第一节点通过一个或多个相应的电阻路径连接到栅极中的一个或多个，所述分布网络进一步包括一个或多个第二节点，每个第二节点通过一个或多个相应的电阻路径连接到第一节点中的一个或多个，与所述第一节点和所述第二节点关联的电阻路径中的至少一些具有选择成在FET处于断开状态中时减少RF信号的损失的电阻值。
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