[发明专利]集成气体传感器和相关制造工艺

摘要

一种具有钨或钨氧化物气体感测元件的集成气体传感器，设置有：半导体材料的衬底；以及多个互连层的结构，布置在衬底上并由多个堆叠的导电层和介电层构成。气体感测元件被集成在多个互连层的结构内，并且至少一个电极布置在多个互连层的结构内，被电连接至气体感测元件并被设计为提供电流至气体感测元件，以便使气体感测元件加热。

主权项

1.一种集成气体传感器(1)，具有气体感测元件(21)，所述集成气体传感器(1)包括：衬底(2)，包括半导体材料；以及多个互连层(8)的结构，布置在所述衬底(2)上，并且包括多个堆叠的导电层(9、10、11)和介电层(13)，其中所述气体感测元件(21)被集成在所述多个互连层(8)的结构内，并且至少一个电极(22a、22b)布置在所述多个互连层(8)的结构内，被电连接至所述气体感测元件(21)并被设计为提供电流(I_ox)至所述气体感测元件(21)，以便加热所述气体感测元件(21)，其特征在于，所述集成气体传感器(1)还包括所述衬底(2)内的集成电子电路(4)，所述集成电子电路(4)被可操作地耦合至所述气体感测元件(21)，并且被配置为在至少一种操作条件下使所述电流(Iox)流过所述气体感测元件(21)，所述集成电子电路(4)包括电压源(40)和控制单元(42)，所述控制单元(42)被配置为控制所述电压源(40)，以便在所述至少一种操作条件下为所述气体感测元件(21)提供所述电流(Iox)，以使所述气体感测元件(21)的金属体(21a)氧化。