[发明专利]通过使用远程等离子体PECVD的FCVD硬件形成的可流动碳膜

摘要

本发明的实施例总体上涉及用于在基板上形成可流动含碳膜的方法。在一个实施例中，含氧气体流入远程等离子体区域内以产生含氧等离子体流出物，并且在含有该基板的基板处理区域中使含碳气体与该含氧等离子体流出物结合。含碳膜被形成在形成在该基板上的沟槽中，并且低K介电材料被沉积在该沟槽中的含碳膜上。通过UV处理来分解该含碳膜，并且空间间隙被形成在该沟槽中且位于该低K介电材料下方。

主权项

一种用于在形成在基板上的沟槽中形成气隙的方法，所述方法包括以下步骤：在所述沟槽的第一部分中形成可流动含碳膜的步骤，所述步骤包括：将含碳气体提供到化学气相沉积腔室中的基板处理区域；将含氧气体提供到远程等离子体系统以形成含氧等离子体流出物；将所述等离子体流出物引导到所述基板处理区域内；以及使所述等离子体流出物和所述含碳气体反应以在所述沟槽的第一部分中形成所述可流动含碳膜；在所述沟槽的第二部分中且在所述可流动含碳膜上形成低K介电材料的步骤；以及去除所述可流动含碳膜以在所述沟槽的第一部分中形成气隙的步骤。