[发明专利]柔性电子基板有效
| 申请号： | 201480073097.7 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106029955B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 帕维尔·沙什科夫;谢尔盖·乌索夫 | 申请（专利权）人： | 康桥纳诺塞姆有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02;C25D11/06;H05K1/05 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 杜诚,陈炜 |
| 地址： | 英国萨*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种柔性电子基板(FES)包括金属层、通过金属层的表面的氧化形成的介电纳米陶瓷层以及形成在该介电层的表面上的电路。FES可以用于支持以下装置，例如柔性显示器、OLED、光电子装置或RF装置。介电纳米陶瓷层具有由基本等轴的晶粒构成的晶体结构，其中介电纳米陶瓷层具有100纳米或更小的平均晶粒大小、介于1微米与50微米之间的厚度、大于20KV mm‑1的介电强度、以及大于3W/mK的导热率。FES具有低于25cm的最小弯曲半径。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 电子 | ||
【主权项】：
一种柔性电子基板FES，包括：金属层，所述金属层具有介于5微米与200微米之间的厚度；柔性介电纳米陶瓷层，所述柔性介电纳米陶瓷层至少部分地通过所述金属层的表面的氧化来形成，以及电路，所述电路形成在所述介电层的表面上，其中，所述柔性介电纳米陶瓷层具有由基本上等轴的晶粒构成的晶体结构，使得所述纳米陶瓷层不具有各向异性的机械性能，所述柔性介电纳米陶瓷层具有100纳米或更小的平均晶粒大小、介于1微米与50微米之间的厚度、大于20KV mm‑1的介电强度、以及大于3W/mK的导热率，所述FES具有低于20mm的最小弯曲半径。
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