[发明专利]原子层沉积装置及方法在审
申请号: | 201480073138.2 | 申请日: | 2014-11-04 |
公开(公告)号: | CN105899708A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 李春秀;郑洪基 | 申请(专利权)人: | 科恩艾斯恩株式会社 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/50 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 在本发明的原子层沉积中,以层叠的形态配置多个上部和下部的分离和结合可行的、用于进行原子层沉积工序的单位工序腔室,并且使向工序腔室搬入或搬出原子层沉积对象基板的搬入/搬出腔室按照一字形与工序腔室连接,由此基板按照搬入腔室、工序腔室、搬出腔室的顺序移送,并且连续地进行工序,从而能够提高原子层沉积工序的效率。另外,将多个原子层沉积装置按照一字形连接,或者以搬入/搬出腔室为中心,在两侧按照一字形连接多个原子层沉积装置,从而设置原子层沉积装置的空间即使受到天花板高度的制约,也能够确保多个工序腔室的数量,因此能够提高生产效率,提高工序效率。此外,能够根据薄膜的种类、厚度等特性,对在各个工序腔室中形成的成膜厚度进行分割,来进行成膜工序,或者能够形成薄膜1、薄膜2、薄膜3等各种复合薄膜。 | ||
搜索关键词: | 原子 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种原子层沉积装置,其特征在于,包括:工序腔室,具有上部工序腔室和下部工序腔室,在原子层沉积工序对象基板的装载或者卸载时,使所述上部工序腔室与所述下部工序腔室分离,在对所述基板进行沉积工序时,使所述上部工序腔室与所述下部工序腔室相结合而形成密封的反应空间;真空腔室,对所述工序腔室进行支撑,使所述工序腔室所在空间维持在真空状态;搬入腔室,与所述真空腔室按照一字形连接,利用使所述基板向上下左右移动的驱动机构,向所述工序腔室搬入所述基板;搬出腔室,与所述真空腔室按照一字形连接,利用所述驱动机构,从所述工序腔室搬出执行了所述原子层沉积工序的基板;所述下部工序腔室包括基板移送部,该基板移送部对从所述搬入腔室向所述工序腔室搬入的所述基板进行支撑,使支撑的所述基板向左右方向移送。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的