[发明专利]硅晶片及其制备方法

摘要

该硅晶片的制备方法具有：在氧化性气氛中对硅晶片进行RTP处理的第1热处理工序，在硅晶片中除去在第1热处理工序中氧浓度增加的区域的工序，在实施该除去工序后在氮化性气氛中或在Ar气氛中对硅晶片进行RTP处理的第2热处理工序，在实施第2热处理工序后在硅晶片中除去氧浓度因第2热处理工序而减少的区域的工序。通过该方法，可制备在消除或减少OSF核或在P_V区域存在的氧析出核那样的潜在性的缺陷的同时具有吸杂位点的硅晶片。

主权项

1.硅晶片的制备方法，其具有：通过提拉法培养不含晶体原生颗粒(COP)和位错簇的单晶硅锭的培养工序；从所述单晶硅锭切割硅晶片的切割工序；对所述硅晶片进行在氧化性气氛中在超过1250℃的温度下保持1秒以上的RTP处理的第1热处理工序；除去在所述第1热处理工序中在所述硅晶片的表面形成的氧化膜的氧化膜除去工序；在实施所述氧化膜除去工序后，对所述硅晶片进行在氮化性气氛中或在Ar气氛中于1100℃以上保持1秒以上的RTP处理的第2热处理工序；和在实施所述第2热处理工序后，在所述硅晶片中除去氧浓度因所述第1和第2热处理工序而变化的区域的氧浓度变化区域除去工序。