[发明专利]用于产生大面积的固体层的方法有效
| 申请号： | 201480073401.8 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN106415795B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 卢卡斯·利希滕斯泰格尔;扬·黎克特;沃尔弗拉姆·德雷舍尔 | 申请（专利权）人： | 西尔特克特拉有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;李建航 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造至少一个固体层(1)的方法。在此，所述方法至少包括下述步骤：提供载体衬底(2)，所述载体衬底具有暴露的第一表面(4)并且具有暴露的第二表面(6)；在载体衬底(2)中或在载体衬底(2)的暴露的第一表面(4)上产生剥离层(8)，其中剥离层(8)具有裸露的表面(10)；在剥离层(8)的裸露的表面(10)上产生第一固体层(1)，其中第一固体层(1)具有与剥离层(8)隔开的自由的表面(12)；在载体衬底(2)的暴露的第二表面(6)上或在第一固体层(1)的自由的表面(12)上设置或构成容纳层(14)；在剥离层(8)之内产生应力，其中通过至少对容纳层(14)调温来产生应力，其中在剥离层(8)之内或在剥离层(8)和第一固体层(1)之间的边界区域(16)中由于应力而展开缝隙，其中通过缝隙将第一固体层(1)与之前所产生的多层装置分裂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 大面积 固体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造至少一个固体层(1)的方法，所述方法至少包括下述步骤：提供载体衬底(2)，所述载体衬底具有暴露的第一表面(4)并且具有暴露的第二表面(6)；在所述载体衬底(2)中或在所述载体衬底(2)的暴露的所述第一表面(4)上产生剥离层(8)，其中所述剥离层(8)具有裸露的表面(10)；在所述剥离层(8)的所述裸露的表面(10)上产生第一固体层(1)，其中所述第一固体层(1)具有与所述剥离层(8)隔开的自由的表面(12)；在所述载体衬底(2)的暴露的所述第二表面(6)上或在所述第一固体层(1)的所述自由的表面(12)上设置或构成容纳层(14)；在所述剥离层(8)之内产生应力，其中通过至少对所述容纳层(14)调温来产生所述应力，其中在所述剥离层(8)之内或在所述剥离层(8)和所述固体层(1)之间的边界区域(16)中由于所述应力而使缝隙扩展，其中通过所述缝隙将所述第一固体层(1)与之前所产生的多层装置分裂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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