[发明专利]在非均质表面上形成金属的方法及并入非均质表面上的金属的结构在审
| 申请号： | 201480073462.4 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105917446A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陈子华;永军·J·胡;斯瓦普尼尔·伦加德 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/205;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 所揭示的技术涉及包含存储器装置的集成电路。一种形成集成电路的方法包括提供包括第一区域及第二区域的表面，其中所述第一区域由不同于所述第二区域的材料形成。所述方法另外包括形成与所述第一区域及所述第二区域接触且跨越所述第一区域及所述第二区域的晶种材料。所述方法进一步包括在晶种材料上形成包括钨的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 非均质 表面上 形成 金属 方法 并入 结构 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路的方法，其包括：提供表面，其包括第一区域及第二区域，所述第一区域由不同于所述第二区域的材料形成；形成与所述第一区域及所述第二区域接触且跨越所述第一区域及所述第二区域的晶种材料；以及在所述晶种材料上形成包括钨的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
