[发明专利]钨固体电解电容器元件的制造方法在审
| 申请号： | 201480073658.3 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106415760A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 内藤一美;矢部正二 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/00;H01G9/052 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供进行老化工序A的电容器元件的制造方法、或在进行工序B之后进行所述工序A的电容器元件的制造方法，所述工序A是在温度为15～50℃、湿度为75～90％RH的条件下对形成有导电体的电容器元件施加化学转化电压的1/3～4/5的电压的工序，所述工序B是将形成有导电体的电容器元件在温度超过50℃且为85℃以下、湿度为50～90％RH的条件下保持的工序。根据本发明的制造方法，能够改善具有碳层的钨固体电解电容器元件的LC特性。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 电解电容器 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器元件的制造方法，是在将以钨为主成分的粉成型后烧结而得到的阳极体的规定部分上依次形成电介质层、半导体层、碳层和导电体层的电容器元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序A：在温度为15～50℃、湿度为75～90％RH的条件下对形成有所述导电体层的电容器元件施加化学转化电压的1/3～4/5的电压。
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