[发明专利]非氧化性强酸用于清除离子注入抗蚀剂的用途有效
| 申请号： | 201480073682.7 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105960699B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·比洛德奥;埃马纽尔·I·库珀;李在锡;金元来;杰弗里·A·巴尼斯 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司;恩特格里斯韩国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 齐杨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明开发了从微电子器件除去本体和/或离子注入抗蚀剂材料的方法和组合物。所述组合物有效除去所述离子注入抗蚀剂材料，同时不损伤含硅或含锗材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 强酸 用于 清除 离子 注入 抗蚀剂 用途 | ||
【主权项】：
1.从在其上具有抗蚀剂的微电子器件表面除去所述抗蚀剂的方法，所述方法包括在从所述微电子器件表面除去至少85％的所述抗蚀剂所必需的条件下将组合物与所述微电子器件表面接触，其中所述组合物包含(a)至少一种非氧化性酸和至少一种氟化物和/或溴化物，所述非氧化性酸的含量为大于90wt％，条件是基于所述组合物的总重量，所述组合物包含少于2重量％的氧化剂，并且其中所述组合物的pH低于2或(b)含硫的酸、HCl和任选的至少一种氟化物和/或溴化物，所述含硫的酸的含量为大于90wt％，其中HCl利用作为溶解气体添加的HCl(氯化氢)或产HCl的化合物产生，其中当与微电子器件的表面接触时，所述组合物从所述微电子器件的表面去除离子注入抗蚀剂材料，但不损伤在所述微电子器件的表面上存在的含硅材料和含锗材料。
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