[发明专利]形成半导体有源区和隔离区域的双重图案化方法

摘要

本发明公开了一种使用双重图案化工艺在半导体衬底中形成有源区和隔离区域的方法。所述方法包括在所述衬底表面上形成第一材料；在所述第一材料上形成第二材料；将多个第一沟槽形成到所述第二材料中，其中所述多个第一沟槽彼此平行；将第二沟槽形成到所述第二材料中，其中所述第二沟槽在所述衬底的中心区域垂直于并且横过所述多个第一沟槽；将所述第一沟槽和所述第二沟槽填充以第三材料；移除所述第二材料以在所述第三材料中形成第三沟槽，所述第三沟槽彼此平行并且不延伸穿过所述衬底的所述中心区域；以及将所述第三沟槽延伸穿过所述第一材料并且进入到所述衬底中。 1

主权项

1.一种处理半导体衬底的方法，包括：

在衬底表面上形成第一材料；

在所述第一材料上形成第二材料；

形成多个第一沟槽到所述第二材料中，其中所述多个第一沟槽彼此平行并且其中所述形成所述多个第一沟槽包括：

在所述第二材料上形成光致抗蚀剂材料;

选择性地移除所述光致抗蚀剂材料以暴露所述第二材料的列; 和

蚀刻掉所述第二材料的所暴露的列；

在形成所述多个第一沟槽之后形成第二沟槽到所述第二材料中，其中所述第二沟槽在所述衬底的中心区域垂直于并横过所述多个第一沟槽，所述形成所述第二沟槽包括：

在所述第二材料上形成第二光致抗蚀剂材料;

选择性地移除所述第二光致抗蚀剂材料的条带以暴露所述第二材料的行; 和

蚀刻掉所述第二材料的所暴露的行；

将所述第一沟槽和所述第二沟槽填充以第三材料；

移除所述第二材料以在所述第三材料中形成第三沟槽，所述第三沟槽彼此平行并且不延伸穿过所述衬底的所述中心区域；以及

将所述第三沟槽延伸穿过所述第一材料并且进入到所述衬底中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料为二氧化硅并且所述第二材料为多晶硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第三材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除所述第二材料暴露所述第一材料的部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述延伸所述第三沟槽包括：

蚀刻掉所述第一材料的所暴露部分，使得所述衬底的部分保持暴露；在所述衬底的所暴露部分上执行蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述延伸的第三沟槽填充以绝缘材料。

7. 根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第三沟槽的所述延伸之后：

移除所述第三材料；以及

移除所述第一材料。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括，在所述第三材料和所述第一材料的所述移除之后：

将所述衬底中的所述第三沟槽填充以绝缘材料。