[发明专利]在基底上旋涂自组装单分子层或周期性有机硅(酸盐)的系统和方法有效
| 申请号： | 201480073914.9 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106415803B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 艾恩华·罗莫·内格雷拉;凯瑟琳·那夫斯;桑原雄平;松永浩一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开内容涉及一种用于利用分子自组装(MSA)化学品旋涂基底以在基底上形成光致抗蚀剂膜和/或低介电常数(低k)膜的处理系统。旋涂处理系统可以包括能够将MSA化学品接收和旋涂在基底上的旋涂室，以及以在旋涂工艺之后对基底进行热处理的退火室。在某些实施方案中，旋涂处理系统还可以在旋涂工艺之前对基底进行预处理或预润湿。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 上旋涂 组装 单分子层 周期性 有机硅 酸盐 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基底的方法，包括：将所述基底接收在化学分配系统中，所述基底包括在所述基底的表面上的氢氧化物层；分配第一溶剂溶液以预润湿所述表面，所述第一溶剂溶液包含按重量计不超过10％的水量；围绕所述基底的中心区旋转所述基底；将图案化化学品分配到所述预润湿的表面上，所述图案化化学品包含：碳化合物；耦合至所述碳化合物的接合化合物；耦合所述碳化合物的末端化合物，所述末端化合物与所述接合化合物相反；第二溶剂溶液；在将所述图案化化学品分配在所述基底上之后对所述基底进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
