[发明专利]具有穿桥导电过孔信号连接的嵌入式多器件桥有效
| 申请号： | 201480074129.5 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN106165092B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | N·A·德什潘德;O·G·卡尔哈德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种微电子结构，包括：具有第一表面以及腔的基板，该腔从基板第一表面延伸到基板中；附接到基板第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及桥，该桥被设置在基板腔内并且附接到第一微电子器件和第二微电子器件。桥包括从桥的第一表面延伸到相对的第二表面的多个导电过孔，其中，导电过孔被电耦合以将电信号从基板传送到第一微电子器件和第二微电子器件。桥还建立了第一微电子器件与第二微电子器件之间的至少一个电信号连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电 信号 连接 嵌入式 器件 | ||
【主权项】：
一种微电子结构，包括：微电子基板，所述微电子基板具有被限定在所述微电子基板中的腔，所述腔从所述微电子基板的第一表面延伸，其中，所述腔包括至少一个侧壁和底部表面，其中，所述微电子基板包括从所述基板第一表面延伸的多条导电路径以及从所述基板腔底部表面延伸的多条导电路径；桥，所述桥被设置在所述微电子基板腔内，所述桥具有形成在所述桥的第一表面上或中的多条信号线以及从所述桥第一表面延伸到所述桥的相对的第二表面的多个穿桥导电过孔，其中，所述多个穿桥导电过孔电连接到从所述微电子基板底部表面延伸的多条导电路径；以及多个微电子器件，其中，所述多个微电子器件中的每一个微电子器件电连接到从所述基板第一表面延伸的多条导电路径中的至少一条导电路径、所述多条桥信号线中的至少一条桥信号线、以及所述多个穿桥导电过孔中的至少一个穿桥导电过孔。
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