[发明专利]半导体元件的驱动装置及使用该驱动装置的电力变换装置有效
| 申请号： | 201480074434.4 | 申请日： | 2014-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN105940606B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 桥本贵之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H01L29/739;H01L29/78;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 范胜杰;王立杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 以降低二极管损耗和噪声为目的，本发明的半导体元件的驱动装置的特征在于，在半导体元件中设置有：第1导电型第1半导体层(n‑型漂移层)；第2导电型第2半导体层(p型阳极层)，其与上述第1半导体层相邻，并暴露在一方的主表面(阳极侧)；第3半导体层(n型阴极层)，其与上述第1半导体层相邻，为第1导电型，暴露在另一方主表面(阴极侧)，杂质浓度比上述第1半导体层(n‑型漂移层)高；绝缘栅极，其位于上述另一方主表面(阴极侧)，在阳极电流大时，在恢复前，将上述绝缘栅极从正电压切换为负电压，在阳极电流小时，使上述绝缘栅极保持正电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 驱动 装置 使用 电力 变换 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的驱动装置，该半导体元件具备：第1导电型第1半导体层；第2导电型第2半导体层，其与上述第1半导体层相邻，并暴露于一方主表面即阳极侧；第1导电型第3半导体层，其与上述第1半导体层相邻，并暴露于一方主表面即阳极侧和另一方主表面即阴极侧，杂质浓度比上述第1半导体层高；以及绝缘栅极，其位于一方主表面即阳极侧和上述另一方主表面即阴极侧，其中，第1半导体层为n‑型漂移层，第2半导体层为p型阳极层，第3半导体层为n型阴极层，该半导体元件的驱动装置的特征在于，具备用于检测阳极电流的单元，在阳极电流大时，在恢复前，将上述绝缘栅极从正电压切换为负电压，在阳极电流小时，使上述绝缘栅极保持为正电压，将用于判断阳极电流大小的阈值设为额定电流的1/2以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480074434.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据缩合器、设备、系统及方法、数据恢复设备及方法
- 下一篇：需求控制装置
