[发明专利]包括纳米结构的分析设备在审
| 申请号： | 201480074593.4 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106062537A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | E.迪法布里齐奥;A.弗拉塔洛克奇;J.S.托特罗贡戈拉;M.L.科卢乔;P.坎德洛罗;G.卡达 | 申请（专利权）人： | 阿卜杜拉国王科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曹立莉 |
| 地址： | 沙特阿*** | 国省代码： | 沙特阿拉伯;SA |
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| 摘要： | 用于检测样品中的分析物的设备，包括：包含多个像素的阵列，各像素包括纳米链，该纳米链包含第一纳米结构、第二纳米结构和第三纳米结构，其中第一纳米结构的尺寸大于第二纳米结构的尺寸，且第二纳米结构的尺寸大于第三纳米结构的尺寸，且其中该第一纳米结构、第二纳米结构和第三纳米结构被置于基底上使得当该纳米链被能量激发时，第二纳米结构和第三纳米结构之间的光场强于第一纳米结构和第二纳米结构之间的光场，其中该阵列可被配置为接收样品；和设置为从该阵列的多个像素收集光谱数据的检测器。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 纳米 结构 分析 设备 | ||
【主权项】：
用于检测样品中的分析物的设备，其包含:包括多个像素的阵列，其中该阵列被配置为接受样品，各像素包括纳米链，该纳米链包含:第一纳米结构，第二纳米结构，和第三纳米结构，其中第一纳米结构的尺寸大于第二纳米结构的尺寸，且第二纳米结构的尺寸大于第三纳米结构的尺寸，且其中该第一纳米结构、第二纳米结构和第三纳米结构被置于基底上使得当该纳米链被能量激发时，第二纳米结构和第三纳米结构之间的光场强于第一纳米结构和第二纳米结构之间的光场；和设置为从该阵列的多个像素收集光谱数据的检测器。
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