[发明专利]石墨烯基磁阻传感器有效
| 申请号： | 201480074598.7 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105980872B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | G·卡隆;H·杨;申荣俊;安东尼奥·埃利奥·卡斯特罗·内托 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种石墨烯结构。石墨烯结构包括衬底层和设置在衬底层上的至少两层石墨烯层。该至少两层石墨烯层包括栅电压调谐层和有效石墨烯层，并且有效石墨烯层包括一个或多个石墨烯层。石墨烯结构的磁阻比率由栅电压调谐层和有效石墨烯层之间的电荷迁移率和/或载流子密度的差确定。栅电压调谐层的电荷迁移率和/或载流子密度可以由施加至石墨烯结构的栅电压调谐。还提供一种包括石墨烯结构的磁场传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
一种石墨烯结构，包括：衬底层；以及设置在所述衬底上的至少两层石墨烯层，所述至少两层石墨烯层包括栅电压调谐层和有效石墨烯层，所述有效石墨烯层包括一个或多个石墨烯层，并且其中所述石墨烯结构的磁阻比率由所述栅电压调谐层和所述有效石墨烯层之间的电荷迁移率和/或载流子密度的差确定，并且其中所述栅电压调谐层的电荷迁移率和/或载流子密度通过施加至所述石墨烯结构的栅电压可调谐。
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