[发明专利]电力用半导体装置

摘要

漂移区域(1)具有第1导电型。阱区域至少局部包含于界面区域(AR2)，阱区域在界面区域(AR2)与边缘端接区域(AR3)之间具有端部，阱区域具有第2导电型。延长区域(9j)从阱区域向外侧延伸，比阱区域浅，具有第2导电型。场限环(9g)在边缘端接区域(AR3)设置于延长区域(9j)的外侧。场限环(9g)分别与位于内侧的漂移区域(1)一起构成了单位构造(US1～US6)。越外侧的场限环(9g)具有相对于单位构造(US1～US6)的宽度越小比率的宽度。越外侧的单位构造(US1～US6)具有越小的平均剂量。

主权项

1.一种电力用半导体装置(800B～800E、900G～900J)，其包含有源区域(AR1)、在所述有源区域的外周设置的界面区域(AR2)、在所述界面区域的外周设置的边缘端接区域(AR3)，所述电力用半导体装置具有半导体衬底(SB)，该半导体衬底(SB)具有第1面(S1)和与所述第1面相反的第2面(S2)，所述第1及第2面均跨越所述有源区域、所述界面区域、以及所述边缘端接区域，所述半导体衬底包含：漂移区域(1)，其跨越所述有源区域、所述界面区域、以及所述边缘端接区域而设置，具有第1导电型；阱区域(9a)，其设置于所述第1面，至少局部包含于所述界面区域，该阱区域在所述第1面在所述界面区域与所述边缘端接区域之间具有端部，该阱区域具有与所述第1导电型不同的第2导电型；延长区域(9j)，其在所述第1面从所述阱区域向外侧延伸，比所述阱区域浅，具有所述第2导电型；以及多个场限环(9g)，它们在所述边缘端接区域在所述延长区域的外侧设置于所述第1面，比所述延长区域浅，具有所述第2导电型，在所述第1面之上，所述漂移区域位于所述场限环各自的内侧，所述场限环分别与位于内侧的所述漂移区域一起构成了单位构造(US1～US6)，越外侧的所述场限环在所述第1面之上具有相对于所述单位构造的宽度越小比率的宽度，越外侧的所述单位构造具有越小的平均剂量，所述电力用半导体装置还具有：第1电极(13a)，其设置于所述有源区域，与所述半导体衬底的所述第1面相接触；第2电极(4)，其与所述半导体衬底的所述第2面相接触；以及第3电极，其设置于所述边缘端接区域，所述场限环与所述第3电极绝缘。