[发明专利]能通过磁场控制使等离子体成形的等离子体处理设备在审
| 申请号： | 201480074622.7 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106134294A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 黄琪雄;郑熙运 | 申请（专利权）人： | 首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;许向彤 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及能够通过磁场控制使等离子体成形的等离子体处理设备，包括：真空室，具有在其中形成的内空间，基片安装在所述内空间中；天线，位于所述室上部上以在所述室的内空间中生成等离子体；磁场生成单元，包括布设在所述室下部上并包含至少一个电磁线圈的第一磁场生成单元和布设在所述室的侧表面上并包含至少一个电磁线圈的第二磁场生成单元；控制单元，用于将输入到所述磁场生成单元的各个电磁线圈中的电流控制成：依据在所述室中安装的基片的中心和在所述室的内部的有效等离子体空间中，在水平空间中与向外方向上的距离成比例地连续增大所述磁场强度，并且在垂直空间中与向上方向的距离成比例地增大所述磁场强度。等离子体的均匀性在所述室的整个内空间中提高，使得甚至在所述基片外周附近也能够执行高可靠性的等离子体工艺，特别是相对于大面积基片能够更稳定地执行的所述等离子体工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 磁场 控制 等离子体 成形 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理设备，包括：真空室，所述真空室具有内空间，在所述内空间上安装有基片；天线，所述天线位于所述室上部上并且在所述室的内空间中生成等离子体；磁场生成单元，所述磁场生成单元包括第一磁场生成单元和第二磁场生成单元，所述第一磁场生成单元布置在所述室下部上并且包括一个或多个电磁线圈，并且所述第二磁场生成单元包括布置在所述室侧部上的一个或多个电磁线圈；以及控制单元，所述控制单元控制输入到所述磁场生成单元的各个电磁线圈中的电流，以便在基于所述室中安装的基片的中心的所述室的有效等离子体空间中，在水平空间中与向外方向上的距离成比例地连续增大所述磁场强度，并且在垂直空间中与向上方向上的距离成比例地增大所述磁场强度。
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