[发明专利]包括石墨烯和金属纳米线的导电薄膜的制备在审
| 申请号： | 201480074765.8 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105940459A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·布莱恩·达尔顿;伊莎贝拉·朱尔维茨;莱斯特·塔库·萨托 | 申请（专利权）人： | 万佳雷射有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22;H01B1/24;H01B1/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 吕艳英;张颖玲 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制备导电薄膜的方法和装置，包括在基板上形成复合层，所述复合层包括由经溶液处理的石墨烯形成的层，所述经溶液处理的石墨烯的层与金属纳米线的层直接相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 石墨 金属 纳米 导电 薄膜 制备 | ||
【主权项】：
一种用于制造导电薄膜的方法，所述方法包括：在基板上形成复合层，所述复合层包括由经溶液处理的石墨烯形成的层，所述经溶液处理的石墨烯的层与金属纳米线的层直接相邻。
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