[发明专利]用于结合基体的方法及装置有效
申请号: | 201480074793.X | 申请日: | 2014-02-03 |
公开(公告)号: | CN105960703B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | F.P.林德纳 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨国治;张昱<国际申请>=PCT/EP2 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 本发明涉及用于将第一基体的第一接触面与第二基体的第二接触面结合的方法和相对应的装置,具有下列步骤、尤其下列流程:‑将由所述第一基体及所述第二基体形成的、在接触面处对准的基体堆布置在第一加热设备的第一加热面与第二加热设备的第二加热面之间,其中,e)所述第一加热面布置成面向所述第一基体的与所述第一接触面背离的第一表面,f)所述第二加热面布置成面向所述第二基体的与所述第二接触面背离的第二表面,g)在所述第一表面与所述第一加热面之间存在>0µm的间距A,及h)在所述第二表面与所述第二加热面之间存在>0µm的间距B。 | ||
搜索关键词: | 用于 结合 基体 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.用于将第一基体(35)的第一接触面(35k)与第二基体(36)的第二接触面(36k)结合的方法,具有下列流程:/n- 将由所述第一基体(35)及所述第二基体(36)形成的、在第一接触面(35k)和第二接触面(36k)处对准的基体堆(14)布置在第一加热设备(30)的第一加热面(15)与第二加热设备(26)的第二加热面(19)之间,其中,/na)所述第一加热面(15)布置成面向所述第一基体(35)的与所述第一接触面(35k)背离的第一表面(35o),/nb)所述第二加热面(19)布置成面向所述第二基体(36)的与所述第二接触面(36k)背离的第二表面(36o),/nc)在所述第一表面(35o)与所述第一加热面(15)之间存在>0 µm的间距A,及/nd)在所述第二表面(36o)与所述第二加热面(19)之间存在>0 µm的间距B,/n- 加热第一加热面(15)和第二加热面(19),其中,第一基体(35)和第二基体(36)与第一加热面(15)和第二加热面(19)间隔开并且第一基体(35)和第二基体(36)通过红外线放射由第一加热面(15)和第二加热面(19)来加热,且在加热期间通过将间距A及B减小至0 µm使得所述基体堆(14)接近第一加热面(15)和第二加热面(19),/n- 通过在第一表面(35o)和第二表面(36o)处压力加载所述基体堆(14)使得在所述第一接触面(35k)与第二接触面(36k)之间构造出结合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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