[发明专利]量子点阵列和量子点超晶格的制备方法有效
| 申请号： | 201480074944.1 | 申请日： | 2014-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105981149B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | S·金格;E·卡诺瓦斯迪亚茨;M·博恩 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车欧洲股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 欧阳帆<国际申请>=PCT/EP2014 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明介绍了一种制备量子点阵列的方法，该方法至少包括以下步骤：(a)提供晶体半导体衬底表面；(b)利用连续离子层吸附反应(SILAR)的处理在所述衬底表面上淀积量子点。所述步骤可被重复以构建量子点超晶格结构。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 阵列 晶格 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备量子点阵列多层叠层的方法，所述方法至少包括以下步骤：/n(a)提供晶体半导体衬底表面；/n(b)利用连续离子层吸附反应(SILAR)的处理在所述衬底表面上淀积量子点，/n其中，在另一步骤(c)中，通过附加无机壳或膜使所述量子点钝化，并且/n其中，由此获得的无机钝化层延伸经过步骤(b)中获得的所述量子点阵列的大部分或者全部，/n所述方法还包括重复根据步骤(b)的量子点淀积处理，将所述量子点施加于所述无机钝化层，/n其中形成于所述衬底表面上的量子点阵列中的量子点分布通过应变诱导生长来控制随后形成的一个或多个量子点层中的量子点分布，并且/n所述无机钝化层的厚度为10-100纳米。/n
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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