[发明专利]气体注入装置以及辅助构件有效
申请号: | 201480074961.5 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN105960704B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 村田正直;山路孝 | 申请(专利权)人: | 村田机械株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 庞乃媛;黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的气体注入装置(1)具备:载置部(2),载置有第1容器(FOUP(10A))或者第2容器;喷出部(5),配置于载置部(2),喷出清洗气体;密封部(7),以包围喷出部(5)的周缘的方式从载置部(2)突出地设置。喷出部(5)在对第2容器的注入口注入清洗气体的状态下、与该注入口为非接触,密封部(7)在对FOUP(10A)的注入口(15A)注入清洗气体的状态下不妨碍喷出部(5)与注入口(15A)的接触。 | ||
搜索关键词: | 气体 注入 装置 以及 辅助 构件 | ||
【主权项】:
1.一种气体注入装置,向设置于第1容器的第1注入口、或者设置于第2容器且具有比所述第1注入口大的直径的第2注入口,注入清洗气体,其特征在于,具备:载置部,载置所述第1容器或者所述第2容器;喷出部,配置于所述载置部,喷出所述清洗气体;以及密封部,在对所述第2注入口注入所述清洗气体的状态下,以与该第2注入口或者该第2注入口的周缘部接触的方式,从所述载置部突出地设置,所述喷出部在对所述第1注入口注入所述清洗气体的状态下与所述第1注入口接触而将该第1注入口密封,并且,在对所述第2注入口注入所述清洗气体的状态下与所述第2注入口成为非接触,所述密封部在向所述第2注入口注入所述清洗气体的状态下与所述第2注入口或者该第2注入口的周缘部接触,通过与所述载置部的协作而将该第2注入口密封,并且,在向所述第1注入口注入所述清洗气体的状态下不妨碍所述喷出部与所述第1注入口的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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