[发明专利]具有自钳位晶体管的整流器电路在审

专利信息
申请号: 201480074973.8 申请日: 2014-12-01
公开(公告)号: CN105960758A 公开(公告)日: 2016-09-21
发明(设计)人: A·格拉赫;M·鲍尔 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: H03K17/30 分类号: H03K17/30;H03K17/0814
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明描述一种整流器电路,该整流器电路具有阴极连接端(K1)、阳极连接端(A1)以及在该阴极连接端(K1)与该阳极连接端(A1)之间的电子电路(2),该电路(2)包括至少一个具有集成的反向二极管(D6)的MOSFET晶体管(T1),其中,以雪崩运行来运行的所述MOSFET晶体管(T1)的漏源击穿电压相当于所述整流器电路(1)的所述阴极连接端(K2)与所述阳极连接端(A2)之间的钳位电压。此外,提出一种用于运行整流器电路的方法,该整流器电路包括阴极连接端(K1)、阳极连接端(A1)以及在该阴极连接端(K1)与该阳极连接端(A1)之间的至少一个具有集成的反向二极管(D6)的MOSFET晶体管(T1),其中,选择所述MOSFET晶体管(T1)的漏源击穿电压,其相当于所述阴极连接端(K2)与所述阳极连接端(A2)之间的所述钳位电压,并且以雪崩运行来运行所述MOSFET晶体管(T1)。
搜索关键词: 具有 晶体管 整流器 电路
【主权项】:
一种整流器电路,该整流器电路具有阴极连接端(K1)、阳极连接端(A1)以及在该阴极连接端(K1)与该阳极连接端(A1)之间的电子电路(2),该电子电路(2)包括至少一个具有集成的反向二极管(D6)的MOSFET晶体管(T1),其特征在于,以雪崩运行来运行的所述MOSFET晶体管(T1)的漏源击穿电压相当于所述整流器电路(1)的所述阴极连接端(K2)与所述阳极连接端(A2)之间的钳位电压。
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