[发明专利]半导体装置的制造方法以及玻璃覆盖膜形成装置

摘要

本发明的半导体装置的制造方法包括：玻璃覆盖膜形成工序，在第一电极板14和第二电极板16之间设置具有直径比半导体晶片W的直径小的开口的换装电极板18，同时，在环状电极板18和第二电极板16之间配置半导体晶片W，在向环状电极板18外加低于第二电极板16的电位的状态下，在玻璃覆盖膜形成预定面形成玻璃覆盖膜。根据本发明的半导体装置的制造方法，作为半导体晶片，即使使用在玻璃覆盖膜形成预定面已形成底层绝缘膜的半导体晶片来进行玻璃覆盖膜形成工序，也可以抑制在半导体晶片外周部的玻璃微粒的覆盖效率的低下，因此，能够以高的生产效率制造可靠性高的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成预定面已形成底层绝缘膜的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在储留有使玻璃微粒悬浊在溶媒里的悬浊液的槽的内部，将第一电极板与第二电极板在和所述悬浊液浸渍的状态下对向设置，同时，在所述第一电极板和所述第二电极板之间以所述玻璃覆盖膜形成预定面朝向所述第一电极板的方向配置所述半导体晶片，在此状态下，采用电泳法在所述玻璃覆盖膜形成预定面形成玻璃覆盖膜，其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中，在所述第一电极板和所述第二电极板之间设置具有开口的直径小于所述半导体晶片的直径的环状电极板，同时，在所述环状电极板和所述第二电极板之间设置所述半导体晶片，在向所述环状电极板外加比所述第二电极板的电位更偏向于所述第一电极板的电位一侧的电位的状态下在所述玻璃覆盖膜形成预定面形成玻璃覆盖膜。