[发明专利]含硫薄膜

摘要

在一些方面，本发明提供了形成金属硫化物薄膜的方法。根据一些方法，金属硫化物薄膜在循环过程中沉积在反应空间中的衬底上，其中至少一个循环包括使所述衬底交替地并连续地与第一气相金属反应物和第二气相硫反应物接触。在一些方面，本发明提供了在衬底表面上形成三维结构的方法。在一些实施方案中，所述方法包括在所述衬底表面上形成金属硫化物薄膜并且在所述金属硫化物薄膜上形成覆盖层。所述衬底表面可包括高迁移率沟道。

主权项

1.一种在衬底表面上形成三维结构的方法，所述方法包括：在所述衬底表面上的高迁移率沟道上形成金属硫化物薄膜；以及直接在所述金属硫化物薄膜上形成包含高‑k介电材料的覆盖层，其中所述高‑k介电材料包括下列至少一种：Al2O3、AlSiOx、HfO2、HfSiOx、TaSiOx、MgO、SrTiOx和BaTiOx；并且其中所述金属硫化物薄膜的所述金属包括以下至少一种：铍、镁、钙、锶、钪、钇及镧。