[发明专利]用于垂直磁性隧道结的具有非晶盖层的双界面自由层有效
| 申请号： | 201480075336.2 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105981105B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | C·朴;K·李;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了磁性隧道结(MTJ)和用于制造MTJ的方法。MTJ(200)包括固定层(114)和该固定层(114)上的阻挡层(116)。此种MTJ(200)还包括与阻挡层(116)对接的自由层(118)。自由层(118)具有与阻挡层(116)一致的晶体结构。该MTJ(200)进一步包括与自由层(118)对接的非晶包覆层(120)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 磁性 隧道 具有 盖层 界面 自由 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结MTJ，包括：固定层；所述固定层上的阻挡层；包括第一层和第二层以及所述第一层与所述第二层之间的插入层的非晶自由层，其中所述第二层与所述阻挡层对接，所述第二层具有与所述阻挡层一致的晶体结构，其中所述插入层由不同于所述非晶自由层的材料构成；以及与所述第一层对接的非晶包覆层，其中所述插入层被配置成减缓任何晶向从所述非晶包覆层穿过所述自由层的前进和/或停止来自所述阻挡层的任何晶向的生长。
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