[发明专利]用于在基底上制造嵌段共聚物膜的方法有效
申请号: | 201480075435.0 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN106029759B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | G.弗洛瑞;C.纳瓦罗;G.哈德兹奥安诺;C.尼科利特;X.希瓦利埃;C.雷布尔;V.卡斯蒂略;G.佩卡斯泰恩格斯 | 申请(专利权)人: | 阿科玛法国公司;波尔多大学;波尔多理工学院;国家科学研究中心 |
主分类号: | C08J9/26 | 分类号: | C08J9/26;B05D3/02;B81C1/00;B82Y30/00;C09D153/00;C08L53/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及用于在基底上制造自组装的嵌段共聚物膜的方法,所述方法由以下构成:借助于含不同化学性质且不混溶的嵌段共聚物和统计共聚物的混合物的溶液同时沉积嵌段共聚物和统计共聚物,然后实施退火处理以便促进嵌段共聚物的自组装体固有的相偏析。 | ||
搜索关键词: | 用于 基底 制造 共聚物 方法 | ||
【主权项】:
1.用于在基底上制造自组装的嵌段共聚物膜的方法,其特征主要在于,该方法包括以下步骤:‑在基底上沉积含有化学性质不同且不混溶的嵌段共聚物和无规共聚物或梯度共聚物的共混物的溶液,‑退火处理,其允许促进嵌段共聚物的自组装体中固有的相分离,其中嵌段共聚物具有通式A‑b‑B或A‑b‑B‑b‑A且无规共聚物具有通式C‑r‑D;无规共聚物的单体与嵌段共聚物的各嵌段中分别存在的单体不同。
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