[发明专利]半导体晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201480075646.4 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN106170847B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 小佐佐和明;小渊俊也;杉森胜久 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B9/00;B24B29/00;B24B37/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张雨;李婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对于在正面（12）或者正反两面存在氧化膜（12A）而在倒角部（11）不存在氧化膜的半导体晶片（10）的前述倒角部（11），使用无磨粒研磨液来实施镜面精加工倒角研磨工序。另外，在前述镜面精加工倒角研磨工序之前，对于在前述正面（12）或者前述正反两面以及前述倒角部（11）存在氧化膜（11A、12A）的半导体晶片（10）的前述倒角部（11），使用有磨粒研磨液来实施精加工前镜面倒角研磨工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，对于在正面或者正反两面存在氧化膜而在倒角部不存在前述氧化膜的半导体晶片的前述倒角部的上方、中央部及下方以及前述正面或者前述正反两面，使用无磨粒研磨液来实施镜面精加工倒角研磨工序，使得存在于前述正面或者前述正反两面的氧化膜不被除去，仅前述倒角部的上方、中央部及下方被研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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