[发明专利]过渡金属硫化物的半导体组件有效
| 申请号： | 201480075938.8 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106030807B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | M·拉多萨夫列维奇;B·S·多伊尔;R·皮拉里塞泰;N·慕克吉;S·达斯古普塔;H·W·田;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/786;H01L29/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本文中公开了半导体组件以及相关集成电路器件和技术的实施例。在一些实施例中，半导体组件可以包括：柔性衬底；由第一过渡金属硫化物(TMD)材料形成的第一阻挡部、由第二TMD材料形成的晶体管沟道、以及由第三TMD材料形成的第二阻挡部。第一阻挡部可以设置在晶体管沟道与柔性衬底之间，晶体管沟道可以设置在第二阻挡部与第一阻挡部之间，并且晶体管沟道的带隙可以小于第一阻挡部的带隙并且小于第二阻挡部的带隙。可以公开和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡 金属 硫化物 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件，包括：柔性衬底；由第一过渡金属硫化物TMD材料形成的第一阻挡部；由第二TMD材料形成的晶体管沟道；以及由第三TMD材料形成的第二阻挡部；其中，所述第一阻挡部设置在所述晶体管沟道与所述柔性衬底之间，所述晶体管沟道设置在所述第二阻挡部与所述第一阻挡部之间，并且所述晶体管沟道的带隙小于所述第一阻挡部的带隙并且小于所述第二阻挡部的带隙，并且其中，所述第一TMD材料、所述第二TMD材料和所述第三TMD材料中的每一个由一个或多个二维层制成。
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