[发明专利]硅晶片的制造方法和硅晶片

摘要

进行：丝线行进工序，通过使以螺旋状缠绕了波状丝线(7)的多个主辊旋转，从而使波状丝线(7)沿与主辊的轴方向大致正交的方向行进；和切断工序，通过将锭坯(T)推靠至波状丝线(7)而将锭坯(T)切断，制造以中央部相对于外缘部沿一个方向凹陷的圆顶状翘曲的多个硅晶片。

主权项

1.一种硅晶片的制造方法，其特征在于进行：丝线行进工序，通过使以螺旋状缠绕了以波状弯折的波状丝线的多个主辊旋转，从而使所述波状丝线沿与所述主辊的轴方向大致正交的方向行进；和切断工序，通过将锭坯推靠至所述波状丝线而将所述锭坯切断，制造以中央部相对于外缘部而沿一个方向凹陷的圆顶状翘曲的多个硅晶片，所述切断工序：以将圆柱状的所述锭坯推靠至所述波状丝线时的所述锭坯的进给速度作为F，以所述波状丝线与所述锭坯的接触部分的长度作为L，控制所述锭坯的所述进给速度，从而对于圆柱状的所述锭坯中的该锭坯的径方向的切断位置，由以下的式(1)定义的作功量W以在所述锭坯的直径最大的切断位置处成为最大值的大致圆弧状变化，并且，以所述锭坯的直径最大的切断位置处的作功量作为Wmax，以将所述锭坯的直径最大的切断位置设为中心的所述锭坯的直径的50%的范围内的作功量作为Wcnt，满足由以下的式(2)示出的关系：W＝F×L……(1)，Wcnt≧0.85×Wmax……(2)。