[发明专利]半导体晶粒的拾取装置以及拾取方法有效
申请号: | 201480076316.7 | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN106030776B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 长野一昭;片山善文;豊田宏树;石塚武;福本眞介 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体晶粒的拾取装置及拾取方法。拾取装置包括:平台(20),包含吸附切割片材(12)的吸附面(22);阶差面形成机构(300),包含多个移动元件(30),形成相对于吸附面(22)的阶差面,所述多个移动元件(30)配置在平台(20)的开口(23)内,且前端面在高于吸附面(22)的第1位置与低于第1位置的第2位置之间移动;以及开口压力切换机构(80),在接近真空的第1压力P1与接近大气压的第2压力P2之间切换开口(23)的开口压力,且在拾取半导体晶粒(15)时,每当将开口压力自第1压力P1切换为第2压力P2时,使至少一个移动元件(30)自第1位置移动至第2位置。由此,抑制半导体晶粒的损伤的发生而有效地拾取半导体晶粒。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶粒 拾取 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶粒的拾取装置,包括:平台,包含吸附面,所述吸附面包括:第1吸引部,作为吸附切割片材的背面的开口;以及第2吸引部,形成在所述第1吸引部的周围,且能够独立于所述第1吸引部而吸附所述切割片材的背面,所述切割片材在表面贴附有要拾取的半导体晶粒;阶差面形成机构,包含多个移动元件,形成相对于所述吸附面的阶差面,所述多个移动元件配置在所述平台的所述吸附面上所设的所述开口内,且前端面在高于所述吸附面的第1位置与低于所述第1位置的第2位置之间移动;以及开口压力切换机构,在接近真空的第1压力与接近大气压的第2压力之间切换所述开口的开口压力,且在拾取所述半导体晶粒时,每当将所述开口压力自所述第1压力切换为所述第2压力时,使至少一个所述移动元件自所述第1位置移动至所述第2位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造